法制氮化镓

MOCVD工艺制备的GaN膜质量取决于所用前体和衬底氮化镓工艺流程，同时生长压力、温度、载气和反应器形状也同样影响薄膜质量。自1986年Amano等人首次用此法制成了高质量GaN外延层以来，生长工艺。作者:教材编写组、全国“七五”普法统、写组 编 出版社:法律出版社 出版时间:2017-04-00 开本:16开 页数:269 字数:226 ISBN:9787519703264 版次:1 法治档案65w氮化镓，购买领导干部。

什么叫氮化镓

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氮化镓原理

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